納米級(jí)二氧化硅作為典型的納米顆粒材料具有分散性好,，比表面積大，親水性,、力學(xué)補(bǔ)強(qiáng)性、增稠性及防粘結(jié)性等特性,，廣泛應(yīng)用于電子封裝材料、高分子復(fù)合材料,、塑料、涂料,、橡膠,、顏料,、陶瓷、膠黏劑,、玻璃鋼,、藥物載體,、化妝品及抗菌材料、油墨等領(lǐng)域,。

       二氧化硅納米顆粒表面存在大量的不同狀態(tài)的羥基不飽和殘鍵,，親水疏油，易于團(tuán)聚,，必須要對(duì)其進(jìn)行功能化改性,，以提高性能及應(yīng)用范圍,。

       紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀是一種用于測(cè)量二氧化硅納米顆粒表面上接枝分子或聚合物的含量或密度的儀器,。它可以評(píng)估材料表面的功能化程度和接枝效果,。

紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀檢測(cè)原理：

        LU 等科學(xué)家采用多洛倫茲分裂算法將游離 PEG 的NMR信號(hào)與接枝的 NMR信號(hào)區(qū)分開,，從而可以使用1H-NMR對(duì)接枝過程進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)。該方法的優(yōu)點(diǎn)是不受接枝基團(tuán)末端官能團(tuán)類型,、表面化學(xué)性質(zhì)、納米粒子或組成的限制,，它還為相關(guān)科學(xué)研究提供表征納米顆粒上基團(tuán)接枝密度的關(guān)鍵和標(biāo)準(zhǔn)指南,。

       低場(chǎng)核磁技術(shù)因?yàn)槠湓O(shè)備成本較低，使用簡(jiǎn)單,，適用于宏觀樣品等特性，非常適用于快速測(cè)定顆粒表面接枝率測(cè)定,。它通過MSE系列序列實(shí)現(xiàn)死時(shí)間內(nèi)的1H核磁信號(hào)采集,，最-大-程-度的采集到了接枝在顆粒表面的基團(tuán)中H原子核的信號(hào)，利用外標(biāo)法進(jìn)行定量分析,。

紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀產(chǎn)品功能：

樣品：納米級(jí)二氧化硅

規(guī)格：可裝入10mm口徑試管，裝樣高度不超過2cm

注意事項(xiàng)：樣品不得含有鐵磁性物質(zhì)

紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

檢測(cè)成本低

快速簡(jiǎn)單

適用于宏觀樣品等特性

無需任何專業(yè)操作員培訓(xùn)

紐邁低場(chǎng)核磁表面接枝率測(cè)定儀應(yīng)用案例：

納米顆粒表面積接枝基團(tuán)